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半导体信息杂志国家级论文

分类:科技期刊 时间:2017-10-23 09:52

半导体信息杂志国家级论文

人气:4658

半导体信息

北大核心
期刊周期:双月刊
期刊级别:国家级期刊
国际刊号:
国内刊号:
主管单位:中国半导体行业协会分立器件专业协会信息产业部电子第五十五研究所
主办单位:中国半导体行业协会分立器件专业协会信息产业部电子第五十五研究所

半导体信息杂志介绍

  《半导体信息》杂志基本信息:

  主办单位:中国半导体行业协会分立器件专业协会信息产业部电子第五十五研究所

  主办单位:中国半导体行业协会分立器件专业协会信息产业部电子第五十五研究所

  刊期:双月刊

  国家级期刊

  《半导体信息》简介

  本刊坚持为社会主义服务的方向,坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导,贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针,坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风,传播先进的科学文化知识,弘扬民族优秀科学文化,促进国际科学文化交流,探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律,活跃教学与科研的学术风气,为教学与科研服务。原《半导体信息报》期刊现在用名《半导体信息》

  推荐期刊《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。

  《半导体信息》收录情况

  国家新闻出版总署收录、中国知网收录期刊、维普中文期刊全文收录

  《半导体信息》栏目设置

  主要栏目:研究报告、文献综述、简报、专题研究。

  《半导体信息》杂志投稿须知:

  1.文章标题:一般不超过300个汉字以内,必要时可以加副标题,最好并译成英文。

  2.作者姓名、工作单位:题目下面均应写作者姓名,姓名下面写单位名称(一、二级单位)、所在城市(不是省会的城市前必须加省名)、邮编,不同单位的多位作者应以序号分别列出上述信息。

  3.提要:用第三人称写法,不以“本文”、“作者”等作主语,100-200字为宜。

  4.关键词:3-5个,以分号相隔。

  5.正文标题:内容应简洁、明了,层次不宜过多,层次序号为一、(一)、1、(1),层次少时可依次选序号。

  6.正文文字:一般不超过1万字,用A4纸打印,正文用5号宋体。

  7.数字用法:执行GB/T15835-1995《出版物上数字用法的规定》,凡公元纪年、年代、年、月、日、时刻、各种记数与计量等均采用阿拉伯数字;夏历、清代及其以前纪年、星期几、数字作为语素构成的定型词、词组、惯用语、缩略语、临近两数字并列连用的概略语等用汉字数字。

  8.图表:文中尽量少用图表,必须使用时,应简洁、明了,少占篇幅,图表均采用黑色线条,分别用阿拉伯数字顺序编号,应有简明表题(表上)、图题(图下),表中数字应注明资料来源。

  9.注释:是对文章某一特定内容的解释或说明,其序号为①②③……,注释文字与标点应与正文一致,注释置于文尾,参考文献之前。

  10.参考文献:是对引文作者、作品、出处、版本等情况的说明,文中用序号标出,详细引文情况按顺序排列文尾。以单字母方式标识以下各种参考文献类型:普通图书[M],会议论文[C],报纸文章[N],期刊文章[J],学位论文[D],报告[R],标准[S],专利〔P〕,汇编[G],档案[B],古籍[O],参考工具[K]。

  2017年《半导体信息》杂志04期投稿论文:

  中国制造2025顶层设计基本完成:集成电路地位空前

  国内外半导体技术与器件

  5G重塑RF技术演进 Qorvo蓄势待发

  Iphone获批5G申请 毫米波5G传输时代即将到来

  Qorvo多款射频模块被NB-IoT无线通讯模块采用

  SiC MOSFET晶体管会是下一个器件领跑者

  美高森美和ADI在可扩展碳化硅MOSFET驱动器领域展开合作以加快客户设计和上市速度

  英飞凌开始批量生产首款全碳化硅模块 在PCIM上推出CoolSiC系列产品的其他型号

  英飞凌推出采用TO-247PLUS封装的高功率密度单管IGBT

  恩智浦推出新型晶体管为915MHz应用提供750W CW突破固态射频能量极限

  OptiMOS推出线性场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大安全工作区

  QORVO新推GAN-ON-SIC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽

  投稿论文:SiC MOSFET晶体管会是下一个器件领跑者

  【摘要】:正在经过多年的疑虑和犹豫之后,SiC器件终于迎来了春天。Yole Développement公司预测,到2020年SiC的市场容量将会增长三倍。随着Cree公司向市场提供了900V电压的SiC MOSFET晶体管,GE公司发布汽车级应用的SiCMOSFET和SiC二极管也赢得了很多的市场,行业专家们都纷纷预测这种宽禁带半导体将迎来它的黄金时代。最近,法国Yole Développement公司的Pierric Gueguen及其同事就SiC市

  【关键词】: SiC MOSFET;宽禁带半导体;市场容量;逆变器;集成问题;不间断电源;商业机遇;半导体技术;燃油效率;燃料电池;

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